激子由激光照射到半导体器件上产生。它们可以在没有净电荷交换的前提下传递能量，通过极度灵敏的电荷耦合装置(CCD)相机可以检测到激子在相互作用或者同周围环境作用之后转换为光。这一现象对开发新技术至关重要。

　　砷化镓是半导体行业的常用材料，大部分团队之前的研究工作也都是基于砷化镓(GaAs)的结构。不过，遗憾的是,他们研发出的设备有一个基本的限制——低温(低于100 K)，这一限制就切断了几乎任何潜在的商业应用。

　　加州大学圣地亚哥分校物理系研究生，即该论文的作者Erica Calman说：“我们之前的结构是由薄层砷化镓沉积在特定厚度和序列的衬底上,来达到我们想要的特定属性。“

　　为了开发出这种室温下工作的新设备，物理学家们转向一种新的结构，这种结构是由仅一个原子层厚的二硫化钼(MoS2)和六方氮化硼(HBN)的超薄层组成。

　　这种超薄层通过著名的“Scotch tape”法或由Andre Geim开发的机械剥离法可以得到。Andre Geim凭借二维材料石墨烯的开创性成果在2010年获得诺贝尔物理学奖。

　　Calman解释说：“我们设计的这种结构使可以使激子间的联系更加紧密,这样他们就可以在室温存在，而砷化镓激子在温室时则发生分解。”

　　这种激子可以形成一种特殊的量子态——玻色-爱因斯坦凝聚态。在超流体粒子中会出现这种状态,不会造成电流粒子的损失。研究小组在低温下观察到砷化镓材料也有这种类似激子的现象。

　　Calman 说道：“我们的研究结果表明,这种新结构可以在室温工作，通过电压、温度、和激光等可控制发射中子和带电激子。”

图片来源：找项目网